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BSZ100N06LS3 G详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：60V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：20A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：10 毫欧 @ 20A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.2V @ 23µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：45nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：3500pF @ 30V; 功率_最大：50W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-PowerVDFN; 供应商设备封装：PG-TSDSON-8（3.3x3.3）; 包装：剪切带 (CT)

BSZ100N06LS3 G详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：60V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：20A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：10 毫欧 @ 20A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.2V @ 23µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：45nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：3500pF @ 30V; 功率_最大：50W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-PowerVDFN; 供应商设备封装：PG-TSDSON-8（3.3x3.3）; 包装：带卷 (TR)

BSZ100N06LS3 G详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：60V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：20A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：10 毫欧 @ 20A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.2V @ 23µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：45nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：3500pF @ 30V; 功率_最大：50W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-PowerVDFN; 供应商设备封装：PG-TSDSON-8（3.3x3.3）; 包装：Digi-Reel®

C2012X5R0G476M
陶瓷 TDK Corporation 0805（2012 公制） CAP CER 47UF 4V 20% X5R 0805
BTS3205G
PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 内部开关 Infineon Technologies 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） IC SWITCH PWR LOSIDE DSO-8
C1005C0G1H470J
陶瓷 TDK Corporation 0402（1005 公制） CAP CER 47PF 50V 5% NP0 0402
BH29RB1WGUT-E2
PMIC - 稳压器 - 线性 Rohm Semiconductor 4-WFBGA，CSPBGA IC REG LDO 2.9V .15A 4-VCSP
BSZ100N03MS G
FET - 单 Infineon Technologies 8-PowerTDFN MOSFET N-CH 30V 40A TDSON-8
C0805C820J1GACTU
陶瓷 Kemet 0805（2012 公制） CAP CER 82PF 100V 5% NP0 0805
C2012X5R0G476M
陶瓷 TDK Corporation 0805（2012 公制） CAP CER 47UF 4V 20% X5R 0805
C3216X7R1E105M/1.60
陶瓷 TDK Corporation 1206（3216 公制） CAP CER 1UF 25V 20% X7R 1206
BTS3408G
PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 内部开关 Infineon Technologies 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） IC SWITCH LOW SIDE DUAL PDSO-8
BH2DW
电池座，夹，触点 MPD (Memory Protection Devices) 8-PowerVDFN HOLDER BATT 2-D 6" WIRE LEADS
C2012X5R0J106K/1.25
陶瓷 TDK Corporation 0805（2012 公制） CAP CER 10UF 6.3V 10% X5R 0805
C0805C820J2GACTU
陶瓷 Kemet 0805（2012 公制） CAP CER 82PF 200V 5% NP0 0805
C3216X7R1E105M/1.60
陶瓷 TDK Corporation 1206（3216 公制） CAP CER 1UF 25V 20% X7R 1206
BTS409L1 E3062A
PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 内部开关 Infineon Technologies TO-263-5，D²Pak（4 引线+接片），TO-263BB IC SWITCH SMART HISIDE TO220AB-5
C1005C0G1H4R7B
陶瓷 TDK Corporation 0402（1005 公制） CAP CER 4.7PF 50V NP0 0402

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C1005C0G1H470J

BH29RB1WGUT-E2

BSZ100N03MS G

C0805C820J1GACTU

C2012X5R0G476M

C3216X7R1E105M/1.60

BTS3408G

BH2DW

C2012X5R0J106K/1.25

C0805C820J2GACTU

C3216X7R1E105M/1.60

BTS409L1 E3062A

C1005C0G1H4R7B